Investigation into the impact of bulk defects in drift layer on the electrical properties for GaN-based trench Schottky barrier diodes

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标题	Investigation into the impact of bulk defects in drift layer on the electrical properties for GaN-based trench Schottky barrier diodes 漂移层中体缺陷对GaN基沟槽肖特基势垒二极管电学性能影响的研究相关领域光电子学沟槽材料科学肖特基势垒肖特基二极管金属半导体结图层（电子）二极管阻挡层工程物理纳米技术物理
网址	https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad40eb
DOI	10.35848/1347-4065/ad40eb doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Xuchen Gao; Feng He; Fuping Huang; Zhizhong Wang; Chunshuang Chu; et al 出版日期：2024-04-19
求助人	张豪在 2025-02-27 14:16:21 发布自广东，悬赏 10 积分
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