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标题
0.18µm 200V SOI-BCD Technology with Ultra-Low Specific On-Resistance LDMOS for Automotive Application
采用超低比导通电阻LDMOS的0.18µm 200V SOI-BCD技术，适用于汽车应用
相关领域
LDMOS 绝缘体上的硅 击穿电压 可靠性（半导体） 材料科学 电气工程 光电子学 电压 物理 工程类 硅 量子力学 功率（物理）
网址
https://doi.org/10.1109/ispsd57135.2023.10147740
DOI
10.1109/ispsd57135.2023.10147740 doi
其它 期刊：
作者：Li Lu; Shulang Ma; Jinyu Xiao; Feng Lin; Shuxian Chen; et al
出版日期：2023-05-28
求助人
xelloss 在 2024-11-27 08:47:50 发布自浙江，悬赏 10 积分
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