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 Selectivity Tuning by Peroxide Concentration for the Selective Etching of SiGe20 to Si and SiGe40 to SiGe20 通过过氧化氢浓度对SiGe20到Si和SiGe40到SiGe20选择性蚀刻的选择性调节
相关领域
选择性
蚀刻（微加工）
材料科学
硅
过氧化物
纳米技术
光电子学
化学工程
催化作用
有机化学
化学
工程类
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：Diffusion and defect data, solid state data. Part B, Solid state phenomena/Solid state phenomena 作者：Francisco Javier López Villanueva; Farid Sebaai; Efrain Altamirano Sánchez; Andreas Klipp 出版日期：2023-08-14 |
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