Investigation of Sidewall High-k Interfacial Layer Effect in Gate-All-Around Structure

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标题	Investigation of Sidewall High-k Interfacial Layer Effect in Gate-All-Around Structure 门全环结构中侧墙高k界面层效应的研究相关领域物理
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2020.2975255
DOI	10.1109/ted.2020.2975255 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Donghyun Ryu; Munhyeon Kim; Junsu Yu; Sangwan Kim; Jong‐Ho Lee; et al 出版日期：2020-03-05
求助人	李沐唅在 2024-11-19 11:18:35 发布自贵州，悬赏 10 积分
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