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 AlGaN/GaN/3C-SiC on diamond HEMTs with thick nitride layers prepared by bonding-first process 键合优先制备厚氮化物层金刚石HEMT上的AlGaN/GaN/3C-SiC
相关领域
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期刊：Applied Physics Express 作者：Ryo Kagawa; Keisuke Kawamura; Yoshiki Sakaida; Sumito Ouchi; Hiroki Uratani; et al 出版日期：2022-03-08 |
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