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![]() 一种新的4H-SiC平面功率MOSFET单元拓扑及其与六边形和八边形单元拓扑的比较
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期刊: 作者:Shengnan Zhu; Tianshi Liu; Arash Salemi; Michael Jin; Marvin H. White; et al 出版日期:2022-11-07 |
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