标题 |
Total Near Interface Trap Density Calculation of 4H-SiC/SiO2 Structures before and after Nitrogen Passivation
氮钝化前后4H-SiC/SiO2结构近界面总陷阱密度计算
相关领域
材料科学
光电子学
钝化
氮气
分析化学(期刊)
存水弯(水管)
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DOI | |
其它 |
期刊:Materials Science Forum 作者:S. Salemi; Akin Akturk; Siddharth Potbhare; Aivars J. Lelis; Neil Goldsman 出版日期:2012-05-01 |
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