Border Trap-Enhanced Ga2O3 Nonvolatile Optoelectronic Memory

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标题	Border Trap-Enhanced Ga2O3 Nonvolatile Optoelectronic Memory 边界陷阱增强Ga2O3非易失性光电存储器
网址	https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c04235
DOI	10.1021/acs.nanolett.4c04235 doi
其它	期刊：Nano Letters 作者：Yonghui Zhang; Rui Zhu; Wenxing Huo; Huili Liang; Zengxia Mei 出版日期：2024
求助人	yhzhang 在 2024-10-31 07:52:46 发布自山东，悬赏 10 积分
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