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 Excessive Oxygen Peroxide Model‐Based Analysis of Positive‐Bias‐Stress and Negative‐Bias‐Illumination‐Stress Instabilities in Self‐Aligned Top‐Gate Coplanar In–Ga–Zn–O Thin‐Film Transistors 基于过量过氧化氧模型的自对准顶栅共面In-Ga-Zn-O薄膜晶体管正偏压和负偏压照明应力不稳定性分析
相关领域
材料科学
薄膜晶体管
阈值电压
压力（语言学）
氧气
晶体管
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期刊：Advanced electronic materials 作者：Sungju Choi; Jingyu Park; Seong‐Hyun Hwang; Changwook Kim; Yong‐Sung Kim; et al 出版日期：2022-01-07 |
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