标题 |
Nonvolatile Memory Device Based on the Ferroelectric Metal/Ferroelectric Semiconductor Junction
基于铁电金属/铁电半导体结的非易失性存储器件
相关领域
铁电性
材料科学
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半导体
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期刊:Nano Letters 作者:Yan Li; Yulin Yang; Hanzhang Zhao; Hongxu Duan; Chao Yang; et al 出版日期:2025-01-15 |
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