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 Demonstration of normally-off p-channel GaN transistor with high threshold voltage and low subthreshold swing based on single p-GaN 基于单个p-GaN的高阈值电压低亚阈值摆幅常关p沟道GaN晶体管演示
相关领域
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期刊：Science China Information Sciences 作者：Yangfeng Li; Zian Dong; Shuai Chen; Sheng Wang; Tong Li; et al 出版日期：2024-08-19 |
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