Twin Thin-Film Transistor Nonvolatile Memory With an Indium–Gallium–Zinc–Oxide Floating Gate

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标题	Twin Thin-Film Transistor Nonvolatile Memory With an Indium–Gallium–Zinc–Oxide Floating Gate 具有铟镓锌氧化物浮栅的双薄膜晶体管非易失性存储器相关领域薄膜晶体管晶体管材料科学光电子学计算机科学电气工程纳米技术图层（电子）工程类电压
网址	https://doi.org/10.1109/led.2012.2226232
DOI	10.1109/led.2012.2226232 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Min-Feng Hung; Yung‐Chun Wu; Jow‐Ran Chang; Kuei‐Shu Chang‐Liao 出版日期：2013-01-01
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