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Performance of Transparent Indium–Gallium–Zinc Oxide Thin Film Transistor Prepared by All Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition
全等离子体增强原子层沉积法制备透明铟镓锌氧化物薄膜晶体管的性能
相关领域
薄膜晶体管
材料科学
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Qi-Zhen Chen; Chun-Yan Shi; Ming-Jie Zhao; Peng Gao; Wan-Yu Wu; et al 出版日期:2023-01-25 |
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