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 On the recombination behavior of p+-type polysilicon on oxide junctions deposited by different methods on textured and planar surfaces p+型多晶硅在织构面和平面上不同方法沉积的氧化物结上的复合行为
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期刊：Physica Status Solidi A-applications and Materials Science 作者：Yevgeniya Larionova; M. Turcu; Sina Reiter; Rolf Brendel; D. Tetzlaff; et al 出版日期：2017-05-08 |
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