Co-doping of Sn and Si in β-Ga₂O₃ thin films via MOCVD for high-power devices

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标题	Co-doping of Sn and Si in β-Ga₂O₃ thin films via MOCVD for high-power devices 大功率器件β-Ga₂O₃薄膜中Sn和Si的MOCVD共掺杂
网址	求助人暂未提供
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
其它	作者: K. Sasaki et al 期刊: Journal of Crystal Growth
求助人	cl 在 2025-03-09 13:24:30 发布自云南，悬赏 10 积分
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