标题 |
Ultrahigh EQE (38.1%) Deep‐UV Photodiode with Chemically‐Doped Graphene as Hole Transport Layer
以化学掺杂石墨烯为空穴传输层的超高EQE(38.1%)深紫外光电二极管
相关领域
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光电子学
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石墨烯
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期刊:Advanced Optical Materials 作者:Titao Li; Siqi Zhu; Lemin Jia; Richeng Lin; Wei Zheng; et al 出版日期:2021-12-26 |
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