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 Difference of double Shockley-type stacking faults expansion in highly nitrogen-doped and nitrogen-boron co-doped n-type 4H-SiC crystals 高氮掺杂和氮硼共掺杂n型4H-SiC晶体中双肖克利型层错扩展的差异
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期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Hiromasa Suo; Kazuma Eto; T. Ise; Yuichiro Tokuda; Hiroshi Osawa; et al 出版日期：2017-06-01 |
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