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 875-MW/cm² Low-Resistance NO₂ p-Type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFETs 875-MW/cm²低电阻NO₂p型掺杂化学机械平坦化金刚石MOSFET
相关领域
钻石
材料科学
分析化学（期刊）
物理
光电子学
化学
有机化学
复合材料
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期刊：IEEE electron device letters 作者：Niloy Chandra Saha; Seong‐Woo Kim; Toshiyuki Oishi; Makoto Kasu 出版日期：2022-05-01 |
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