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Characterization of the N-polar GaN film grown on C-plane sapphire and misoriented C-plane sapphire substrates by MOCVD
用MOCVD法在C面蓝宝石和错取向C面蓝宝石衬底上生长N极性GaN薄膜的表征
相关领域
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材料科学
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蓝宝石
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光学
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微观结构
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期刊:Chinese Physics B 作者:Xiaotao Hu; Yimeng Song; Zhaole Su; Haiqiang Jia; Wenxin Wang; et al 出版日期:2021-11-20 |
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