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 Normally-off AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Si substrate with selective barrier regrowth in ohmic regions 欧姆区选择性势垒再生长的Si衬底常闭AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
相关领域
欧姆接触
高电子迁移率晶体管
光电子学
材料科学
晶体管
制作
阻挡层
基质（水族馆）
阈值电压
图层（电子）
电压
纳米技术
电气工程
工程类
病理
地质学
海洋学
替代医学
医学
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Weihong Jiang; Haipeng Tang; Jennifer A. Bardwell 出版日期：2021-05-01 |
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