Packaged β-Ga 2 O 3 trench MOS Schottky Diode with Nearly Ideal Junction Properties

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标题	Packaged β-Ga 2 O 3 trench MOS Schottky Diode with Nearly Ideal Junction Properties 结特性接近理想的封装β-Ga 2 O3沟道MOS Schottky二极管相关领域符号数学算法算术
网址	https://doi.org/10.1109/tpel.2021.3122902
DOI	10.1109/tpel.2021.3122902 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Florian Wilhelmi; Shinji Kunori; Kohei Sasaki; Akito Kuramata; Yuji Komatsu; et al 出版日期：2021-10-27
求助人	46552 在 2024-09-12 15:43:03 发布自福建，悬赏 10 积分
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