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标题
Interface Engineering with MoS2–Pd Nanoparticles Hybrid Structure for a Low Voltage Resistive Switching Memory
用于低压电阻开关存储器的MoS2-Pd纳米粒子杂化结构界面工程
相关领域
材料科学 电阻随机存取存储器 光电子学 氧化物 电压 非易失性存储器 纳米技术 纳米颗粒 电子工程 电气工程 工程类 冶金
网址
https://doi.org/10.1002/smll.201702525
AI链接 nih.govdoi.org
DOI
10.1002/smll.201702525 doi
其它 期刊：Small
作者：Xuefeng Wang; He Tian; Hai‐Ming Zhao; Tian‐Yu Zhang; Weiquan Mao; et al
出版日期：2017-12-04
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大反应釜 在 2025-02-25 10:50:13 发布自江西，悬赏 10 积分
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