| 标题 |
 Dislocations in 4H-SiC epilayers for power devices: Identification, formation, and regulation 功率器件用4H-SiC外延层中的位错：识别、形成和调节
相关领域
材料科学
鉴定（生物学）
功率（物理）
碳化硅
光电子学
工程物理
功率半导体器件
复合材料
热力学
植物
生物
物理
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Yifei Li; Peng‐Xiang Hou; Shuangyuan Pan; Pin Wang; Weiwei Cheng; et al 出版日期：2024-11-26 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
爱静静
现代青枫
面向杂志编论文
嗯哼
寻道图强
浅尝离白
sutharsons
寒冷苗条
冷傲的傲霜
YifanWang
TrucCSC
沉默的小天鹅
贰鸟
spark810
andrele
完美松鼠
酷波er
充电宝
8R60d8
情怀
皖公网安备34019202002308
