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 Reliability Comparison of Commercial Planar and Trench 4H-SiC Power MOSFETs 商用平面型和沟槽型4H-SiC功率MOSFET的可靠性比较
相关领域
随时间变化的栅氧化层击穿
材料科学
MOSFET
沟槽
栅氧化层
光电子学
功率MOSFET
可靠性（半导体）
击穿电压
负偏压温度不稳定性
电气工程
平面的
碳化硅
阈值电压
介电强度
电压
电介质
功率（物理）
工程类
计算机科学
纳米技术
复合材料
物理
晶体管
计算机图形学（图像）
图层（电子）
量子力学
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期刊：2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 作者：Shengnan Zhu; Limeng Shi; Michael Jin; Jiashu Qian; Monikuntala Bhattacharya; et al 出版日期：2023-03-01 |
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