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 Electronic and mechanical properties of monocrystalline silicon doped with trace content of N or P: A first-principles study 微量N或P掺杂单晶硅的电子和力学性能：第一性原理研究
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期刊：Solid State Sciences 作者：W.J. Zhang; Jieshi Chen; S. Li; Yuanhang Wu; Peilei Zhang; et al 出版日期：2021-09-04 |
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