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 An energy-band modulated p-GaN/InGaN/AlN p-channel MESFET with high ION/IOFF ratio and steep subthreshold swing 一种具有高离子/离子截止比和陡峭亚阈值摆幅的能带调制p-GaN/InGaN/AlN p沟道MESFET
相关领域
材料科学
光电子学
阈值电压
MESFET
异质结
退火（玻璃）
肖特基势垒
钨
场效应晶体管
晶体管
电压
电气工程
二极管
冶金
复合材料
工程类
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