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Effects of N2O Plasma Treatment on the Performance and Stability of High Indium Content InGaZnO Thin-Film Transistors
N2O等离子体处理对高铟InGaZnO薄膜晶体管性能和稳定性的影响
相关领域
薄膜晶体管
铟
材料科学
等离子体
光电子学
内容(测量理论)
晶体管
纳米技术
电气工程
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数学分析
量子力学
电压
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期刊:Journal of Physics D Applied Physics 作者:Patigul Nurmamat; Rui Li; Linyu Yang; Mamatrishat Mamat; Ablat Abliz 出版日期:2024-12-11 |
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