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标题
Atomic layer etching of GaN using Cl2 and He or Ar plasma
利用Cl2和He或Ar等离子体原子层刻蚀GaN
相关领域
蚀刻（微加工） 材料科学 等离子体刻蚀 等离子体 溅射 限制 图层（电子） 干法蚀刻 光电子学 高电子迁移率晶体管 制作 自我限制 反应离子刻蚀 宽禁带半导体 表面粗糙度 纳米技术 薄膜 复合材料 晶体管 电气工程 工程类 替代医学 电压 病理 物理 机械工程 医学 量子力学 皮肤病科
网址
https://doi.org/10.1116/6.0000830
DOI
10.1116/6.0000830 doi
其它 期刊：Journal of vacuum science & technology
作者：Simon Ruel; Patricia Pimenta‐Barros; Frédéric Le Roux; Nicolas Chauvet; Michel Massardier; et al
出版日期：2021-02-12
求助人
含糊的雨安 在 2025-02-22 21:25:18 发布自上海，悬赏 10 积分
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