| 标题 |
 Vacancy‐Induced Synaptic Behavior in 2D WS2 Nanosheet–Based Memristor for Low‐Power Neuromorphic Computing 用于低功耗神经形态计算的2D WS2纳米片忆阻器中空位诱导的突触行为
相关领域
神经形态工程学
记忆电阻器
材料科学
纳米片
电阻随机存取存储器
光电子学
计算机科学
纳米技术
电子工程
电气工程
人工神经网络
电压
工程类
人工智能
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Small 作者：Xiaobing Yan; Qianlong Zhao; Andy Paul Chen; Jianhui Zhao; Zhenyu Zhou; et al 出版日期：2019-05-02 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
rocky15
WWshu
kento
寻道图强
贰鸟
bryceeluo
Singularity
Frank
林圆圆
嗯哼
薰硝壤
langzhiquan
银色的喵咪
浅弋
爱静静
鹊起
sissiarno
乐乐乐乐乐乐
小二郎
kisa
皖公网安备34019202002308
