标题 |
![]() MOCVD和热氧化两步法制备纯相Cu2O薄膜晶体管
相关领域
金属有机气相外延
材料科学
薄膜
晶体管
化学气相沉积
电子迁移率
相(物质)
薄膜晶体管
热氧化
铜
兴奋剂
沉积(地质)
金属
分析化学(期刊)
电阻率和电导率
霍尔效应
光电子学
外延
纳米技术
硅
化学
电气工程
冶金
工程类
有机化学
古生物学
电压
生物
图层(电子)
沉积物
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:ACS applied electronic materials 作者:Vajinder Singh; Jyoti Sinha; Sushobhan Avasthi 出版日期:2021-12-20 |
求助人 | |
下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|