Effective Suppression of Amorphous Ga2O and Related Deep Levels on the GaN Surface by High-Temperature Remote Plasma Pretreatments in GaN-Based MetalInsulatorSemiconductor Electronic Devices

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标题	Effective Suppression of Amorphous Ga2O and Related Deep Levels on the GaN Surface by High-Temperature Remote Plasma Pretreatments in GaN-Based MetalInsulatorSemiconductor Electronic Devices GaN基金属绝缘体半导体电子器件中高温远距离等离子体预处理对GaN表面非晶态Ga2O及相关深能级的有效抑制
网址	http://dx.doi.org/10.1021/acsami.3c03094.s001
DOI	10.1021/acsami.3c03094.s001 doi
其它	期刊：作者：出版日期：2023-05-11
求助人	空白的黑在 2023-11-08 21:29:04 发布自中国台湾，悬赏 10 积分
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