Improvement of poly-silicon hole induced gate oxide failure by silicon rich oxidation

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标题	Improvement of poly-silicon hole induced gate oxide failure by silicon rich oxidation 富硅氧化改善多晶硅空穴诱导栅氧化层失效相关领域材料科学氧化物硅杀盐剂蚀刻（微加工）栅氧化层光电子学图层（电子）等离子体氧化硅复合材料电气工程电压冶金晶体管硅化物氮化硅工程类物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1016/s0026-2714(03)00059-3
DOI	10.1016/s0026-2714(03)00059-3 doi
其它	期刊：Microelectronics Reliability 作者：Summer F.C. Tseng; Wei-Ting Kary Chien; Bingchu Cai 出版日期：2003-05-01
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