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标题
Study of p-(6H, 4H, 3C)SiC/n-GaN Heterojunction SDR, DDR IMPATT Diodes
p-(6H,4H,3C)SiC/n-GaN异质结SDR,DDR IMPATT二极管的研究
相关领域
二极管 光电子学 异质结 IMPATT二极管 材料科学 碳化硅 复合材料
网址
DOI
10.1109/tcad.2024.3406477 doi
其它 期刊:IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems
作者:Yang Dai; Yukun Li; Leiyu Gao; Jing Zuo; Cheng Chen; et al
出版日期:2024-01-01
求助人
一剑白 在 2024-09-09 00:37:04 发布自陕西,悬赏 10 积分
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