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 An Electrical Transient Model of IGBT-Diode Switching Cell for Power Semiconductor Loss Estimation in Electromagnetic Transient Simulation 电磁瞬时仿真中用于功率半导体损耗估计的IGBT二极管开关单元电瞬时模型
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期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Yanming Xu; Carl Ngai Man Ho; Avishek Ghosh; Dharshana Muthumuni 出版日期：2020-03-01 |
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