An Electrical Transient Model of IGBT-Diode Switching Cell for Power Semiconductor Loss Estimation in Electromagnetic Transient Simulation

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标题	An Electrical Transient Model of IGBT-Diode Switching Cell for Power Semiconductor Loss Estimation in Electromagnetic Transient Simulation 电磁瞬时仿真中用于功率半导体损耗估计的IGBT二极管开关单元电瞬时模型相关领域绝缘栅双极晶体管瞬态（计算机编程）电子工程 PIN二极管功率半导体器件波形二极管双极结晶体管功率（物理）工程类电子电路模拟电气工程晶体管电压计算机科学电子线路物理量子力学操作系统
网址	https://doi.org/10.1109/tpel.2019.2929113
DOI	10.1109/tpel.2019.2929113 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Yanming Xu; Carl Ngai Man Ho; Avishek Ghosh; Dharshana Muthumuni 出版日期：2020-03-01
求助人	Petrichor 在 2024-09-06 19:56:44 发布自湖北，悬赏 10 积分
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