| 标题 |
 A New Characterization Technique for Extracting Parasitic Inductances of SiC Power MOSFETs in Discrete and Module Packages Based on Two-Port S-Parameters Measurement 相关领域
碳化硅
电子工程
端口（电路理论）
散射参数
寄生提取
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MOSFET
电气工程
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电阻抗
工程类
拓扑（电路）
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物理
晶体管
冶金
量子力学
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| DOI |
10.1109/tpel.2017.2789240
doi
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Tianjiao Liu; Thomas Wong; Z. John Shen 出版日期：2018-01-09 |
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