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 First-principles study of electronic and diffusion properties of intrinsic defects in 4H-SiC 4H-SiC中本征缺陷电子和扩散性质的第一性原理研究
相关领域
半导体
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扩散
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Xiaolan Yan; Pei Li; Lei Kang; Su‐Huai Wei; Bing Huang 出版日期：2020-02-24 |
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