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 Magnetoelectric Switching Energy of Antiferromagnetic Cr2O3 Used for Spintronic Logic Devices and Memory 用于旋转子逻辑器件和存储器的反铁磁Cr2 O3的磁电开关能
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期刊：physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters 作者：Shujun Ye 出版日期：2021-09-01 |
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