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 Highly-efficient (>70%) and Wide-spectral (400–1700 nm) sub-micron-thick InGaAs photodiodes for future high-resolution image sensors 用于未来高分辨率图像传感器的高效（>70%）和宽光谱（400-1700 nm）亚微米厚InGaAs光电二极管
相关领域
砷化铟镓
材料科学
光电二极管
光电子学
宽带
光电探测器
量子效率
光学
串扰
暗电流
波长
砷化镓
物理
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| 其它 |
期刊：Light Science & Applications 作者：Dae‐Myeong Geum; Jinha Lim; Junho Jang; Seung‐Yeop Ahn; Seongkwang Kim; et al 出版日期：2024-11-15 |
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