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 Unveiling the Unique Region Dependence of Bias Stability in Sub-μm IGZO TFTs Using Floating Channel Effect for 3D DRAM 利用3D DRAM的浮动沟道效应揭示亚μ m IGZO TFTs中偏置稳定性的独特区域依赖性
相关领域
德拉姆
材料科学
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yanyu Yang; Gangping Yan; Jie Luo; Yupeng Lu; Yunjiao Bao; et al 出版日期：2024-01-01 |
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