标题 |
Single-event Burnout Simulation Study of 1200V Normally off SiC-JFETs
1200V常关SiC-JFET的单事件烧毁仿真研究
相关领域
倦怠
材料科学
碳化硅
钢筋
电极
陶瓷
事件(粒子物理)
边界(拓扑)
光电子学
电离
沟槽
电气工程
离子
工程类
物理
复合材料
数学
汽车工程
数学分析
图层(电子)
量子力学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊: 作者:Zhiwen Zhang; Qingwen Song; Xiao-Yan Tang; Keyu Liu; Yibo Zhang; et al 出版日期:2023-05-24 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|