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 Fabrication of crystal plane oriented trenches in gallium nitride using SF6 + Ar dry etching and wet etching post-treatment SF6+Ar干法刻蚀和湿法刻蚀后处理制备氮化镓晶面取向沟槽
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology A Vacuum Surfaces and Films 作者：Kevin Dannecker; Jens Baringhaus 出版日期：2020-06-18 |
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