标题 |
Using a triblock copolymer as a single additive in high aspect ratio through silicon via (TSV) copper filling
在高纵横比硅通孔(TSV)铜填充中使用三嵌段共聚物作为单一添加剂
相关领域
材料科学
铜
环氧乙烷
化学工程
共聚物
电解质
空化
电极
硅
通过硅通孔
泊洛沙姆
空隙(复合材料)
胶束
传质
氧化物
超声波传感器
互连
复合材料
化学
冶金
色谱法
有机化学
水溶液
聚合物
物理化学
工程类
物理
机械
计算机科学
计算机网络
声学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Microelectronic Engineering 作者:Fuliang Wang; Yuhang Tian; Kang Zhou; Rui Yang; Tian Tan; et al 出版日期:2021-04-26 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|