Ferroelectric Hf1-xZrxO2 memories: device reliability and depolarization fields

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标题	Ferroelectric Hf1-xZrxO2 memories: device reliability and depolarization fields 铁电Hf1-xZrxO2存储器：器件可靠性和去极化场相关领域铁电性去极化材料科学物理电介质光电子学生物内分泌学
网址	https://doi.org/10.1109/nvmts47818.2019.9043368 AI链接 qucosa.de qucosa.dedoi.org
DOI	10.1109/nvmts47818.2019.9043368 doi
其它	期刊：作者：Patrick D. Lomenzo; Stefan Slesazeck; Michael Hoffmann; Thomas Mikolajick; Uwe Schroeder; et al 出版日期：2019-10-01
求助人	陈陈在 2025-02-26 19:29:48 发布自湖北，悬赏 10 积分
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