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![]() 0.15 μ m的深能级效应和降解具有单层和双层AlGaN背障的射频AlGaN/GaN HEMT
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期刊:2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 作者:Z. Gao; F. Chiocchetta; Carlo De Santi; N. Modolo; F. Rampazzo; et al 出版日期:2022-03-01 |
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