Thick-AlN-barrier AlN/GaN-based HEMTs with superior power and noise performance for low-voltage RF front-end applications

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标题	Thick-AlN-barrier AlN/GaN-based HEMTs with superior power and noise performance for low-voltage RF front-end applications 适用于低压射频前端应用的具有卓越功率和噪声性能的厚AlN势垒AlN/GaN基HEMT 相关领域宽禁带半导体材料科学光电子学前端和后端电压噪音（视频）无线电频率氮化镓功率（物理）电气工程电子工程计算机科学纳米技术图层（电子）工程类物理量子力学人工智能图像（数学）操作系统
网址	https://doi.org/10.1063/5.0257620
DOI	10.1063/5.0257620 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Haochen Zhang; Mingshuo Zhang; Hu Wang; Xinchuan Zhang; Hui Zhang; et al 出版日期：2025-03-01
求助人	三颗石头在 2025-04-08 17:57:27 发布自湖北，悬赏 10 积分
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