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Contribution of Ion Energy and Flux on High-Aspect Ratio SiO2 Etching Characteristics in a Dual-Frequency Capacitively Coupled Ar/C4F8 Plasma: Individual Ion Energy and Flux Controlled
离子能量和通量对双频电容耦合Ar/C4F8等离子体中高纵横比SiO2刻蚀特性的贡献:单个离子能量和通量控制
相关领域
电子
原子物理学
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离子
物理
蚀刻(微加工)
电子密度
材料科学
纳米技术
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量子力学
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期刊:Journal of Public Health Management and Practice 作者:Paul C. Erwin; Charles B. Hamilton; Stephanie Welch 出版日期:2005-09-01 |
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