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Suppression of Short-channel Effects by Double-gate Double-channel Device Design in Normally-off AlGaN/GaN MIS-HEMTs
常闭AlGaN/GaN MIS-HEMTs中双栅双沟道器件设计抑制短沟道效应
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期刊:IETE Journal of Research 作者:Charu Gupta; Anshul Gupta; Anil K. Bansal; Abhisek Dixit 出版日期:2018-11-13 |
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