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标题
Slew Rate Control of High-Voltage SiC MOSFETs using Gate Resistance vs. Intermediate Voltage Level
使用栅极电阻与中间电压电平的高压SiC MOSFET压摆率控制
相关领域
回转率 电磁干扰 碳化硅 电磁干扰 电压 门驱动器 高压 MOSFET 电气工程 超调（微波通信） 材料科学 寄生提取 功率MOSFET 可靠性（半导体） 功率（物理） 电子工程 工程类 晶体管 物理 冶金 量子力学
网址
http://dx.doi.org/10.23919/ICPE2019-ECCEAsia42246.2019.8797027
DOI
10.23919/ICPE2019-ECCEAsia42246.2019.8797027 doi
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wanglu 在 2024-12-23 09:52:37 发布自天津，悬赏 10 积分
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