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 Origin and dynamic properties of major intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap nitride semiconductors 宽带隙氮化物半导体中主要本征非辐射复合中心的起源和动力学性质
相关领域
材料科学
金属有机气相外延
兴奋剂
空位缺陷
带隙
宽禁带半导体
消灭
光电子学
氮化镓
晶体缺陷
杂质
光致发光
外延
凝聚态物理
物理
纳米技术
量子力学
图层（电子）
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期刊： 作者：Shigefusa F. Chichibu; Kohei Shima; Kazunobu Kojima; Shoji Ishibashi; Akira Uedono 出版日期：2020-02-16 |
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