Device Simulation on GaN‐LED Operating in Noncarrier Injection Mode for Performance Improvement by Enhancing the Tunneling Effect in Multiquantum Wells

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标题	Device Simulation on GaN‐LED Operating in Noncarrier Injection Mode for Performance Improvement by Enhancing the Tunneling Effect in Multiquantum Wells 在非载流子注入模式下工作的GaN-LED通过增强多量子阱中的隧穿效应提高性能的器件模拟相关领域发光二极管材料科学光电子学量子隧道发光外延兴奋剂二极管工作（物理）纳米技术物理热力学图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1002/aelm.202300298
DOI	10.1002/aelm.202300298 doi
其它	期刊：Advanced electronic materials 作者：Wenhao Li; Kun Wang; Yitao Liao; Jiawei Guo; Yiwei Shen; et al 出版日期：2023-07-04
求助人	陶火桃在 2024-09-24 09:00:28 发布自北京，悬赏 10 积分
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